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IRF530NSTRLPBF介紹;
描述 MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 37nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3.8W(Ta),70W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 90 毫歐 @ 9A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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特別是電子整機對節能、環保需求的不斷增長,這一方面帶動了分立器件產品的需求增長,另一方面也帶動了市場產品結構的快速升級。整機系統進一步向小型化、集成化方向發展的趨勢,對分立器件也提出了新的要求,片式貼裝器件已經成為行業發展的主流。