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RN1902介紹:
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
晶體管類型 2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(值) 50V
電阻器 - 基底(R1) 10 千歐
電阻器 - 發射極基底(R2) 1 千歐
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(值) 30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(值) 300mV @ 250μA,5mA
電流 - 集電極截止(值) 100nA(ICBO)
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 值 100mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563,SOT-666
供應商器件封裝 ES6
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晶體管的低成本,靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件,例如數字計算。在控制電器和機械方面,晶體管電路也正在取代電機設備,因為它通常是更便宜,更有效地僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務,使用電子控制,而不是設計一個等效的機械控制。
東芝(Toshiba),是日本的半導體制造商,也是第二大綜合電機制造商,隸屬于三井集團。公司創立于1875年7月,原名東京芝浦電氣株式會社,1939年由東京電氣株式會社和芝浦制作所合并而成,業務領域包括數碼產品、電子元器件、社會基礎設備、家電等。