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NSBC114EPDXV6T1G介紹:
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
晶體管類型 1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(值) 50V
電阻器 - 基底(R1) 10 千歐
電阻器 - 發射極基底(R2) 10 千歐
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(值) 35 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(值) 250mV @ 300μA,10mA
電流 - 集電極截止(值) 500nA
頻率 - 躍遷 -
功率 - 值 500mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563,SOT-666
供應商器件封裝 SOT-563
基本零件編號 NSBC1*
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在模擬電路中,晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路;在計算機電源中,主要用于開關電源。晶體管也應用于數字電路,主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存(RAM)和微處理器。
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