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FDA59N25介紹:
描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 通孔 N 溝道 250V 59A(Tc) 392W(Tc) TO-3PN
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET™
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 250V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 59A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 49 毫歐 @ 29.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 82nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 4020pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 392W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中,晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路;在計算機電源中,主要用于開關電源。
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