安富利（深圳）商貿有限公司

TN2106K1-G介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

制造商標準提前期 8 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 280mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Microchip Technology

系列 -

包裝    帶卷（TR） 

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 280mA（Tj）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 2.5 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 2V @ 1mA

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 360mW（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 TO-236AB（SOT23）

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

金氧半場效晶體管里的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的制程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。