安富利（深圳）商貿有限公司

SIHB30N60E-GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 29A（Tc）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 125 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 130nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 2600pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 250W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET的是位于中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。