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FDP8440介紹:
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 40V 100A(Tc) 306W(Tc) TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 100A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 2.2 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 450nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 24740pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 306W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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MOSFET在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流(DC)訊號而言,MOSFET的柵極端阻抗為無限大(等效于開路),也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點,而是完全由電壓控制柵極的形式。