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TK16J60W介紹:
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 15.8A(Ta)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 190 毫歐 @ 7.9A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 3.7V @ 790μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 38nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 1350pF @ 300V
FET 功能 超級結
功率耗散(值) 130W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3P(N)
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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晶體管的低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件,例如數字計算。在控制電器和機械方面,晶體管電路也正在取代電機設備,因為它通常是更便宜、更有效地,僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務,使用電子控制,而不是設計一個等效的機械控制。因為晶體管的低成本和后來的電子計算機、數字化信息的浪潮來到了。