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APT5010介紹:
描述 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 17 周
詳細描述 通孔 N 溝道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7®
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 46A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 100 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 95nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 4360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 520W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-264 [L]
封裝/外殼 TO-264-3,TO-264AA
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半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時,雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態,在禁帶中產加的雜質能級。