安富利（深圳）商貿有限公司

SIHP33N60E介紹：

描述 MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述 通孔 N 溝道 600V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 散裝 ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 99 毫歐 @ 16.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 150nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 3508pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 278W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別。