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STU5N95K3介紹:
描述 MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 通孔 N 溝道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) I-PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 950V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 4A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 3.5 歐姆 @ 2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 19nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 460pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 90W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
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場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.