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FDMC8854介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 15A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 15A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 5.7 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 57nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 3405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2W(Ta),41W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-MLP(3.3x3.3)
封裝/外殼 8-PowerWDFN
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由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。