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IRFR2307Z介紹:
描述 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 75V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 42A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 4V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 75nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 2190pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 110W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 16 毫歐 @ 32A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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為了提高單電子晶體管的工作溫度,必須使量子點的尺寸小于10納米,目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管,觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線,但離實用還有相當的距離。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發明,是微電子革命的先聲。