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STR2N2VH5介紹:
描述 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 20V 350mW(Tc) SOT-23
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ V
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) -
驅動電壓( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 30 毫歐 @ 2A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 700mV @ 250μA()
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 4.6nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 367pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(值) 350mW(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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由于這種結構在VGS=0時,ID=0,稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET,在VGS=0時也有一定的ID(稱為IDSS),這種MOSFET稱為耗盡型。它的結構如圖5所示,它的轉移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓(ID=0)。