安富利（深圳）商貿有限公司

SIRA02DP-T1-GE3介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 22 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK® SO-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 50A（Tc）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 2 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 117nC @ 10V

Vgs（值） +20V，-16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 6150pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 5W（Ta），71.4W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8

封裝/外殼 PowerPAK® SO-8

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;

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晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。此時集電極電流變化與基極同相，在三極管沒有加直流偏置時三極管be結和ce結導通，三極管放大電路將只有半個波輸出將產生嚴重的失真。