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SI4666DY-T1-GE3介紹:
描述 MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 16.5A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 16.5A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 2.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 34nC @ 10V
Vgs(值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 1145pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.5W(Ta),5W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 10 毫歐 @ 10A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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晶體管在電路常用的用途應該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。