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SIHD7N60E-E3介紹:
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 7A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 40nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 680pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(值) 78W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 600 毫歐 @ 3.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-PAK(TO-252AA)
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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正因為晶體管的性能如此優越,晶體管誕生之后,便被廣泛地應用于工農業生產、國防建設以及人們日常生活中。1953年,首批電池式的晶體管收音機一投放市場,就受到人們的熱烈歡迎,人們爭相購買這種收音機。接著,各廠家之間又展開了制造短波晶體管的競賽。