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AOT482L介紹:
描述 MOSFET N-CH 80V 11A TO220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 通孔 N 溝道 80V 11A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-220
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 SDMOS™
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 80V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 11A(Ta),105A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 7V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 81nC @ 10V
Vgs(值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 4870pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.1W(Ta),333W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 7.2 毫歐 @ 20A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
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由于積體電路芯片上的MOSFET為四端元件,所以除了柵極、源極、漏極外,尚有一基極(Bulk或是Body)。MOSFET電路符號中,從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。