安富利（深圳）商貿有限公司

BSB044N08NN3 G介紹：

描述 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）

制造商標準提前期 39 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 80V 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 80V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Ta），90A（Tc）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 97μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 73nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 5700pF @ 40V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.2W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 4.4 毫歐 @ 30A，10V

工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 MG-WDSON-2，CanPAK M™

封裝/外殼 3-WDSON

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;

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功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，晶體管內的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。