安富利（深圳）商貿有限公司

零件編號 FDS6675BZTR-ND

現有數量 12,500

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制造商

ON Semiconductor

制造商零件編號

FDS6675BZ

描述 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 12 周

詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 在售

FET 類型 P 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11A（Ta）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 62nC @ 10V

Vgs（值） ±25V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 2470pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 13 毫歐 @ 11A，10V

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

基本零件編號 FDS6675

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