SI4116DY-T1-GE3分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單
產品信息
零件編號 SI4116DY-T1-GE3TR-ND
現有數量 12,500
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI4116DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 46 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 56nC @ 10V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 1925pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 8.6 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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