SI3447BDV-T1-E3 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET
產品信息
零件編號 SI3447BDV-T1-E3TR-ND
現有數量 0
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI3447BDV-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 12V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 4.5A（Ta）
驅動電壓（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 14nC @ 4.5V
Vgs（值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 40 毫歐 @ 6A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
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