質優原裝現貨IRFR5505TRPBF集成電路IC
產品信息
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRFR5505TRPBF
描述 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 57W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 110 毫歐 @ 9.6A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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20處理器與驍龍810一樣采用四核A57+四核A53架構，不過由于采用了三星當時的14nmFinFET工藝，功耗和性能表現優良，這款芯片成為這一年Android芯片市場的性能，三星也因此聲名鵲起。不過此時三星尚未研發出自己的基帶，采用Exynos7420處理器的手機需要采用高通的基帶
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