Digi-Key 零件編號 SI7686DP-T1-GE3TR-ND
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制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI7686DP-T1-GE3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 35A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 1220pF @ 15V
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 5W(Ta),37.9W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 9.5 毫歐 @ 13.8A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
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中國半導體行業從2015年便開始了爆發性的增長,預測到2018年,行業產值將會突破6200億元人民幣,這其中當然離不開政府政策的支持。而存儲器相關、SiC/GaN 等化合物半導體、以及IoT / 5G / AI / 智慧汽車等應用趨勢的 IC 設計領域,將是政府主導的大基金未來投資的三大方向。