相關證件: 
會員類型:
會員年限:7年
再者,飛索也與爾必達(Elpida)合作NAND Flash產品,將以爾必達在日本廣島的12寸晶圓廠做為生產基地,初期從43納米切入,未來再持續導入32納米,雙方也宣布采用飛索MirrorBit Charge-Trapping技術的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式問世,計劃2010年第4季試產,在2011年第1季可步入量產。
整體而言,飛索在重整之后,不論是產品線或是生產制造策略上,都做了相當大的轉變,2010年第2季也持續交出獲利成績單,加上開始在各個產品在線與大廠進行策略聯盟,飛索積極尋求轉型的過程和成果,市場相當關注。