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(五)集成電路領域發展迅猛。隨著硅片、儲
1 關于兩種斷路器的討論及真空技術的發展
七十年代在世界范圍內展開的關于真空和SF6開關的論戰，至今仍在繼續，但是爭論的實質內容已經不同。當年的論戰促進了真空斷路器的發展。如采用CuCr觸頭材料和縱向磁場提高開斷電流，使真空斷路器在開斷容量上有了大的突破；利用低過電壓觸頭材料降低過電壓，截流水平降至常規值的1/10；
存器芯片和晶圓代工等半導體產品的持續漲價，當前半導體產業進入景氣向上周期，半導體行業整體景氣度較高，加之下游汽車電子及工業控制崛起，集成電路市場需求強勁，廣東省集成電路領域保持高速發展的態勢。前三季度，廣東省累計實現集成電路產量191.86億塊，同比增長24.8%解決真空斷路器的操作過程中產生過電壓的問題，國內普遍采用了RC保護裝置或金屬氧化物避雷器作為真空斷路器的過電壓保護，但仍有少數的過電壓現象，導致電氣設備被過電壓破壞。據分析多數原因是對這些保護裝置使用配合上的不當，若在選用上或參數上配合適當，問題是可以解決的。
2 關于戶外SF6斷路器
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