原裝SI7686DP-T1-GE3 VISHAY分立半導體產品
產品信息
Digi-Key 零件編號 SI7686DP-T1-GE3TR-ND
現有數量 3,000
可立即發貨
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI7686DP-T1-GE3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 35A（Tc）
驅動電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 1220pF @ 15V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 5W（Ta），37.9W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 9.5 毫歐 @ 13.8A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
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