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BSC079N03LSCGATMA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 14A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 14A(Ta),50A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 7.9 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 19nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 1600pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.5W(Ta),30W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管,是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有時也稱為Power BJT;其特性有:耐壓高,電流大,開關特性好,但驅動電路復雜,驅動功率大;GTR和普通雙極結型晶體管的工作原理是一樣的。
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