安富利（深圳）商貿有限公司

SI4925BDY-T1-E3介紹：

描述 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

制造商標準提前期 33 周

詳細描述 2 個 P 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 5.3A 1.1W 表面貼裝 8-SO

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包裝   帶卷（TR） 

零件狀態 在售

FET 類型 2 個 P 溝道（雙）

FET 功能 邏輯電平門

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.3A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 25 毫歐 @ 7.1A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） -

功率 - 值 1.1W

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝 8-SO

基本零件編號 SI4925

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。

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