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IXTH13N80介紹:
描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
詳細描述 通孔 N 溝道 800V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 MegaMOS™
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 800V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 13A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 800 毫歐 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 170nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 300W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247(IXTH)
封裝/外殼 TO-247-3
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以金氧半場效晶體管(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal(金屬)”的個字母M,在當下大部分同類的組件里是不存在的。
IXYS Corporation擁有種類齊全的電源管理半導體產品,包括全系列功率MOSFET、IGBT、雙極和混合信號IC解決方案,為廣泛的電源系統應用節省能源和成本。