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FQP33N10介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
制造商標準提前期 7 周
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 33A(Tc) 127W(Tc) TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 33A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 52 毫歐 @ 16.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 51nC @ 10V
Vgs(值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 1500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 127W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作,而電子管的第二電源(乙電)也要數伏,也就1000多伏,所以晶體管能被用在更廣泛的電路中,使其他優勢得以發揮。因為晶體管的低成本和后來的電子計算機,數字化信息的浪潮來到了。
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