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RN1907FE,LF介紹:
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
晶體管類型 2 個 NPN 預偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(值) 50V
電阻器 - 基底(R1) 10 千歐
電阻器 - 發射極基底(R2) 47 千歐
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(值) 80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(值) 300mV @ 250μA,5mA
電流 - 集電極截止(值) 100nA(ICBO)
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 值 100mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563,SOT-666
供應商器件封裝 ES6
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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晶體管在電路常用的用途應該是屬于信號放大這一方面,其次是阻抗匹配、信號轉換等,晶體管在電路中是個很重要的元件,許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
東芝(Toshiba),是日本的半導體制造商,也是第二大綜合電機制造商,隸屬于三井集團。公司創立于1875年7月,原名東京芝浦電氣株式會社,1939年由東京電氣株式會社和芝浦制作所合并而成,業務領域包括數碼產品、電子元器件、社會基礎設備、家電等。