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TPH1R403NL介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A(Ta) 1.6W(Ta),64W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVIII-H
包裝 帶卷(TR)
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 60A(Ta)
驅動電壓( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) 1.4 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) 2.3V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) 46nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) 4400pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(值) 1.6W(Ta),64W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOP Advance(5x5)
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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晶體管在使用上有許多要注意的額定值,例如電壓、電流、功率。在超額的狀態下使用,晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
東芝(Toshiba),是日本的半導體制造商,也是第二大綜合電機制造商,隸屬于三井集團。公司創立于1875年7月,原名東京芝浦電氣株式會社,1939年由東京電氣株式會社和芝浦制作所合并而成,業務領域包括數碼產品、電子元器件、社會基礎設備、家電等。