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IRF3575DTRPBF介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 2(1 年)
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 標準
漏源電壓(Vdss) 25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 303A(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值) -
不同 Id 時的 Vgs(th)(值) -
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值) -
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值) -
功率 - 值 -
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-PowerWFQFN
供應商器件封裝 32-PQFN(6x6)
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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晶體管按封裝結構可分為金屬封裝(簡稱金封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。終通過計算機轉化和呈現為模擬形式。受到數字化革命影響的領域包括電視、廣播和報紙。