安富利（深圳）商貿有限公司

RQ3E150BNTB介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

制造商標準提前期 40 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 15A（Ta）

驅動電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 45nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 3000pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2W（Ta）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 5.3 毫歐 @ 15A，10V

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 8-HSMT（3.2x3）

封裝/外殼 8-PowerVDFN

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中快的一種。MOSFET在數位訊號處理上主要的成功來自CMOS邏輯電路的發明，這種結構的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。