大量供應IPD70N10S3-12半導體
發布時間： 2017/11/22 10:08:26 | 534 次閱讀
Digi-Key 零件編號 IPD70N10S312ATMA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IPD70N10S312ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 70A（Tc）
驅動電壓（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（值） 4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值） 4355pF @ 25V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值） 11.1 毫歐 @ 70A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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