IRF640NPBF 分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單
發布時間: 2017/11/13 11:18:06 | 551 次閱讀
零件編號
IRF640NPBF-ND
現有數量
2,663
可立即發貨
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IRF640NPBF
類別
分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝 ?
管件 ?
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
18A(Tc)
驅動電壓( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值)
67nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值)
1160pF @ 25V
Vgs(值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(值)
150W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值)
150 毫歐 @ 11A,10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
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我也看過網上比較刻薄的說法,說現在科技界人工智能的水平相當于10個掃地機器人的智商,有人說很牛,那就相當于15個掃地機器人。這種說法是比較刻薄的,但是這些科技公司三句話不離人工智能,不離AI。AI這么火,我們并沒有看到真正上了臺階或者有數量級上的變化,還是一個起步的階段。
問:大多數廠商都在談屏占比,為何你不以此衡量?
羅永浩:我們內部開發從來不量屏占比,但是做完量了之后嚇一跳,我們屏占比比絕大多數國產手機都好,在我們之前的只有兩個。一個是Z17,努比亞是用光學折射的方式看起來沒有邊框,但是代價是讓機器更厚,這是很有特色很有追求的嘗試。